Grafito isostático de alta pureza para semicondutores
O grafito isostático de alta pureza é un material avanzado clave na fabricación de semicondutores. Coa súa uniformidade térmica, precisión dimensional e rendemento libre de contaminación, o grafito isostático segue sendo indispensable para avanzar nos procesos de semicondutores como MOCVD, RTP, difusión e epitaxia de SiC. A súa densidade uniforme e excelente maquinabilidade permiten a fabricación precisa de compoñentes complexos e de alto rendemento. Agardamos a súa próxima consulta.
descrición
especificacións
| Propiedades físicas do grafito isostático | ||
| Propiedade | Unidade | valor típico |
| Densidade aparente | g / cm³ | 1.83 |
| Dureza | HSD | 58 |
| Resistividade eléctrica | μΩ.m | 10 |
| Forza flexible | MPa | 47 |
| Forza de compresión | MPa | 103 |
| Resistencia á tracción | MPa | 31 |
| Módulo de Young | GPa | 11.8 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Condutividade térmica | W·m-1K-1 | 130 |
| Tamaño medio do gran | mm | 8-10 |
| Porosidade | % | 10 |
| Contido de cinza | ppm | ≤5 (despois da purificación) |
aplicacións
O grafito isostático de alta pureza de Semixlab, debido á súa alta pureza, estrutura de gran fino, densidade uniforme, resistencia ao choque térmico e excelente maquinabilidade, úsase amplamente na industria dos semicondutores. A continuación móstranse os principais produtos acabados e as súas funcións correspondentes en procesos críticos:
Grafito isostático para aplicacións de semicondutores
1. En MOCVD (Deposición Química de Vapor Metalorgánica)
A MOCVD é un proceso fundamental para a fabricación de capas epitaxiais de GaN, GaAs e SiC. O grafito isostático úsase habitualmente para fabricar:
● Susceptores: serven como portadores de obleas que sosteñen e rotan as obleas dentro do reactor. Proporcionan unha transferencia de calor uniforme, garantindo un crecemento epitaxial consistente en toda a superficie da oblea. Normalmente están revestidos con SiC ou TaC de deposición química por varrido para mellorar a resistencia química e prolongar a vida útil.
● Portaobleas / Barquiñas de grafito: utilízanse para cargar varias obleas simultaneamente. Requiren un mecanizado preciso para manter a planitude das obleas e evitar a contaminación.
● Elementos calefactores: os calefactores de grafito proporcionan campos térmicos estables e uniformes, esenciais para unha epitaxia de alta calidade.
Papel clave: o grafito isostático garante a uniformidade da temperatura, a estabilidade química e unha longa vida útil, o que inflúe directamente na calidade da película epitaxial.
2. En fornos de recocido e difusión
As etapas de procesamento térmico a alta temperatura, como a difusión do dopante, a oxidación e o recocido, dependen en gran medida de compoñentes de grafito isostáticos, incluíndo:
● Barcas de forno de difusión: Suxeitan obleas durante os procesos de recocido a alta temperatura e difusión de dopantes. O grafito proporciona unha excelente estabilidade térmica e unha deformación mínima baixo ciclos térmicos repetidos.
● Revestimentos e compoñentes de illamento: os revestimentos e os escudos de grafito protexen as cámaras do forno da contaminación e melloran a uniformidade da temperatura.
● Tubos e elementos calefactores: utilízanse como calefactores de resistencia en ambientes de alta temperatura, proporcionando unha calor precisa e consistente.
Papel clave: Os compoñentes de grafito isostáticos permiten un tratamento térmico libre de contaminación, estable e repetible, crucial para a activación do dopante e a redución de defectos.
3. En epitaxia de SiC (crecemento de 4H-SiC, 6H-SiC)
O crecemento epitaxial de SiC require temperaturas ultraaltas (>1500 °C) e ambientes con gases corrosivos. O grafito isostático utilízase para fabricar:
● Susceptores revestidos de SiC: Proporcionan soporte ao substrato durante a epitaxia de SiC, garantindo unha excelente distribución da calor e estabilidade superficial en condicións extremas.
● Paletas e soportes de obleas de grafito: aseguran as obleas durante a rotación e o fluxo de gas, garantindo unha taxa de crecemento uniforme e un grosor de capa.
● Compoñentes do tubo de proceso: as pezas estruturais de grafito dentro dos reactores de epitaxia soportan ambientes agresivos mantendo a pureza.
Papel clave: o grafito isostático na epitaxia de SiC proporciona precisión dimensional, resistencia química e xestión térmica fiable, o que inflúe directamente no rendemento da oblea e na uniformidade da película epitaxial.
Como provedor líder de grafito isostático de alta pureza na China, Semixlab comprométese a proporcionar produtos avanzados e solucións técnicas para a industria de procesamento de semicondutores. Agradecemos as súas consultas en calquera momento e esperamos sinceramente converternos no seu socio a longo prazo.
nosos Servizos

Tenda de produtos Semixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




